CT1高介电常数瓷介电容器
低频瓷介电容器属于Ⅱ类瓷介固定电容器。又称高介电常数电容器。一般用强介铁电陶瓷作为介质,这类介质几乎都是以钛酸钡为基体的材料。其特点是介电常数特别高,一般数千、甚至上万。介电常数随温度呈非线性变化,介电常数随施加的外电场有非线性关系。这些性质反应到电容量方面。就是电容量随温度呈非线性变化,同时电容量随所施加的电压呈非线性关系。
低频瓷介电容器通常应用于对损耗和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等到,亦可作控制电路中的时间常数元件和能量转换电路中。