CS1-三类低频低压瓷介电容器

CS1半导体瓷介电容器

半导体瓷介电容器具有很高的介电常数，电容器具有体积小、容量高的特点。适用于在耐压较低的电路中作旁路和耦合之用，半导体电容器又分为表面层陶瓷电容器和晶界层陶瓷电容器两种。目前以生产表面层陶瓷电容器为主。

半导体瓷介电容器，主要应用于超高频、甚高频电路中作宽带旁路、耦合等，以及应用于宽带信号和频率分离的低压电路中。

在小型电脑、移动通讯等设备中，对小体积大容量电容器的要求愈益迫切，固体电解电容只能用于直流场合，在交流的情况下，半导体陶瓷电容器则具有特殊重要性。

目前国际已实用的半导体陶瓷电容器有表面型和晶界层型两种，由于前者工艺性能好、价廉，故使用广泛。所谓表面型半导体陶瓷电容器是指：瓷片本身已经半导化，然后使其表面重新氧化而形成很薄的介质层，之后再在瓷片两面烧渗电极而形成电容器。而晶界层型半导体陶瓷电容器则是：沿着半导化的瓷体之晶粒边界处形成绝缘层，再在瓷片两面烧渗电极，因而形成多个串、并联的电容器。