CC1 一类高频低压瓷介电容器

      CC1电容器

Ⅰ型瓷介电容器：旧称高频瓷介电容器，是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。

高频瓷介电容器特点是：①介电常数较大，一般在8.5~900范围内。②介电损耗小，一般小于15×10^-4，用于高压条件的电容器其损耗更小，有的要求小于3×10^-4。③介电常数的温度系数的范围很广，一般在（-5600~+120）ppm/℃之间可随意调节。

按照瓷介材料的介电常数温度系数，高频瓷可分为两大类。一类是高频热补偿电容器，其陶瓷材料具有较大的负介电常数温度系数。这类电容器通常用在振荡回路里，以补偿回路中电感元件的正温度系数，使回路的谐振频率保持不变或变化很小。另一类是高频热稳定电容器陶瓷，这类陶瓷的介电常数温度系数的绝对值很小（如NPO类电容器）。这类瓷料可以制成高稳定的电容器，用在精密电子仪器和设备中。

高频瓷介电容器主要应用于要求损耗值较小，容量稳定性高的电路中。如应用在谐振回路高频，稳定性高的耦合电路以及控制电路中的时间常数电路中。对于温度补偿电容器，由于在电路中是与电感元件配合，并补偿其温度系数，因而客户一旦选定某一种温度系数的电容器（如N220、N470、N750等），一定是考虑到该规格电容器在电路中必须起到的补偿作用。