随着电子技术的迅速发展,特别是大规模集成电路的广泛应用,以及表面组装技术(SMT)的推广,对电子元件提出了更高的要求,如体积小、大容量、长寿命、高可靠和片状化等。独石陶瓷电容器正是适应这种电子设备向轻、薄、小方向演变的要求而发展起来的。
独石陶瓷电容器通常采用薄膜叠层结构。陶瓷介质可做得很薄(已达到10~15μm),叠层可达120层。因此,该电容器具有较大的比容。
独石陶瓷电容器用的瓷料必须首先进行超细粉碎,大批量生产采用流延成型机制成薄膜、冲片,涂覆内电极,以多层交替堆叠方式叠合起来,而使陶瓷膜片与电极同时烧成一个整体,故其可靠性较高。
当前,独石陶瓷电容器所采用的新工艺及新设备列于表3。
工序名称 | 新工艺、新设备 | 设备技术性能 |
配 料 | 超细粉碎机、湿式混合机 | 可使原材料粒度≤1μm |
成 膜 | 注浆挤膜机、卧式流延机 | 采用新粘合剂混料均匀可挤出5~200μm薄膜,可形成10~250μm薄膜 |
印内电极 | 自动网氏印刷机 | 刮板速度203.2cm/s(周期3s) |
叠片压制 | 采用等静压叠片机 | 各方向压力相等,提高叠片质量 |
切 块 | 自动湿式生坯切块机 | 用摄像机对位,电视显示定位切割 |
介质烧成 | 自动生坯装板机、高精度隧道烧成炉 | 自动装板,多温区、自动控制、温差±1℃ |
涂外电极 | 端头自动涂覆机 | 产品自动上架,传递涂覆 |
分选测试 | 容量、损耗自动分选机,绝缘电阻耐压测试机 | 用电子计算机扫描测量 |
高温烧结型独石陶瓷电容器的烧结温度在1300℃以上,所用的电极材料系用白金(Pt)或钯(Pa)等耐高温贵金属材料。
中温烧结型独石陶瓷电容器的电极,系采用Ag/Pd合金电极材料(通常含银70%、钯30%)可耐1150℃以下温度。
低温烧结型独石陶瓷电容器则可采用纯银或低含量的钯银合金电极,从而使其成本大幅度降低。
独石陶瓷电容器已大量用于混合集成电路中作为外贴元件,特别是片状独石陶瓷电容器已在钟表、电子摄像机、医疗仪器、汽车、电子调谐器等方面获得广泛的应用;此外,将它封装在集成电路中,使集成电路的成品率和性能具有较大提高。
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